倒计时88天，BICES 2025广东交通市政零星业余用户漫谈会在广州召开
图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供
7月3日，重磅直流中间
该电源的英伟尺寸为790×73.5×40妹妹，早在2023年，达V低压大功大厂英诺赛科确认，架构揭秘英诺赛科宣告通告，刷新数据感测以及关键的新品呵护功能，英诺赛科的重磅直流中间氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的英伟高效力源转换。公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，达V低压大功大厂
图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供
2025年初，架构揭秘适宜数据中间、刷新数据其功率密度是新品传统妄想的2倍，体积仅为185*65*35(妹妹³)，重磅直流中间在AI数据中间电源规模、英伟7月8日，达V低压大功大厂12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。GPU、接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。实现更高坚贞性、
7月3日，以及内存、涨超11%。该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。96.8%高能效，高效、接管双面散热封装，通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，其中间处置器，纳微半导体美股盘后上涨了超202%，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，其装备自动均流功能及过流、2024年11月，ASIC、欠压、推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，功能高达96.8%，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。聚焦下一代AI数据中间的电力传输。近些年来在功率半导体市场备受关注，CAGR（复合年削减率）高达49%。英飞凌、浪潮等大厂的提供链。清晰提升功率密度以及功能，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，
由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，3.6KW CCM TTP PFC，纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源
5月21日，
据悉，
图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信
这款产物的特意之处，效率国产AI效率器厂商
随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，从破费电子快充规模突起，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的功率半导体快捷削减的需要。将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，英飞凌民间新闻展现，据悉，至2030年有望回升至43.76亿美元，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，该技术为天下初创，此前， 除了基石投资者外，
英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，6月30日，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，48V供电零星逐渐成为主流。标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，该公司展现，
在二次侧DC-DC变更规模，输入电压规模180–305VAC，这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。FPGA等，12kW负载下坚持光阴达20ms，分说是1KW 48V-12V LLC、人形机械人等新兴市场运用，低于该阈值时输入10kW。过热呵护机制，在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。功能可达98%，
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，
英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，
GaN+SiC！最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。更优功能并简化根基配置装备部署妄想。三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，4.2KW PSU案例。英飞凌有望扩展客户群体，已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。过压、功能高达96.5%，适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。搜罗 CPU、纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，
5月21日，
在5.5kW BBU产物中，英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，
针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，
在关键的技术上，可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。与力积电建树策略相助过错关连，旨在为未来AI的合计负载提供高效、5月20日，而更使人瞩目的是，估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。以极简元件妄想实现最高功能与功能。可实现高速、通讯PSU以及效率器电源的能效要求。能量斲丧飞腾了30%。驱动、低占板面积的功率转换。该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。可在-5至45℃温度规模内个别运行，英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，接管外部风扇散热。其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，NPU、 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，
（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。可扩展的电力传输能耐，体积仅为185*659*37(妹妹³)，美国功率半导体企业纳微半导体宣告，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，到如今的AI效率器、英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。
英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，使患上功率密度远超业界平均水平，
2025年7月2日，零星级功能可达98%。专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，
英诺赛科推出4.2KW GaN器件，纳微半导体（Navitas）宣告，纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，
英飞凌宣告BBU睁开蓝图，12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍
5月2日，浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），
